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STM32F105xx 107xx存储器特性

作者：不详　阅读：818 次　时间：2016/3/7 16:42:46　

闪存存储器除非特别说明，所有特性参数是在TA = -40~105°C得到。表29 闪存存储器特性
符号参数条件最小值(1) 典型值最大值(1) 单位 tprog 16位的编程时间 TA = -40~105°C 40 52.5 70 μs tERASE 页(1K字节)擦除时间 TA = -40~105°C 20 40 ms tME 整片擦除时间 TA = -40~105°C 20 40 ms IDD 供电电流读模式，fHCLK=72MHz，2个等待周期，VDD=3.3V    20 mA 写/擦除模式，fHCLK=72MHz，VDD=3.3V   5
mA 掉电模式/停机，VDD=3.0~3.6V    50 μA Vprog 编程电压    2    3.6
V 1. 由设计保证，不在生产中测试。   表30 闪存存储器寿命和数据保存期限符号参数条件最小值(1) 典型值最大值单位 NEND 寿命(译注：擦写次数) TA = –40 to +85 °C (尾缀为6的产品) TA = –40 to +105 °C (尾缀为7的产品) 10     千次
tRET 数据保存期限 TA = 85°C时，1000次擦写之后(2)   30   年 TA = 105°C时，1000次擦写之后(2) 10 TA = 55°C时，10000次擦写之后(2) 20 1. 由综合评估得出，不在生产中测试。 2. 满足整个温度范围

来源：飞翔电子技术-单片机解密加密研究中心

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